「台积电」台积电2nm工艺提升不大：密度仅提升10%

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芯研所 6 月 18 日消息，日前，台积电全面公开了旗下的 3nm 及 2nm 工艺技术指标，相比 3nm 工艺，在相同功耗下，2nm 速度快 10~15%；相同速度下，功耗降低 25~30%。性能及功耗看着还不错，但台积电的 2nm 工艺在晶体管密度上挤牙膏，只提升了 10%，按照摩尔定律来看的话，新一代工艺的密度提升是 100% 才行，实际中也能达到 70-80% 以上才能算新一代工艺。

台积电没有解释为何 2nm 的密度提升如此低，很有可能跟使用的纳米片电晶体管（Nanosheet）技术有关，毕竟这是新一代晶体管结构，考验很多。

芯研所采编

密度提升只有 10% 的话，对苹果及、AMD、高通、NVIDIA 等客户来说，这是不利于芯片提升的，要么就只能将芯片面积做大，这无疑会增加成本。更重要的是，台积电表示 2nm 工艺要到 2025 年才能量产，意味着芯片出货都要 2026 年了，4 年后才能看到，工艺升级的时间也要比之前的 5nm、3nm 更长。

台积电在 2nm 工艺上的挤牙膏，倒是给了 Intel 一个机会，因为后者预计在 2024 年就要量产 20A 工艺及改进版的 18A 工艺了，同样也是 "2nm" 级别的。目前两家的 2nm 工艺都是 PPT 上的，但是台积电这次的 2nm 工艺表现不尽如人意，这让 Intel 励志重回半导体工艺第一的目标有了可能。

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