KIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术
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作为NADN闪存技术的发明者。铠侠(原来的东芝存储)在新一代闪存研发上再次甩开对手。率先推出了Twin BiCS FLASH闪存技术。KIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术有望成为PLC闪存的最佳搭档。
KIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术随着3D闪存以及TLC、QLC闪存的普及。大容量SSD硬盘已经成为被桌面、KIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术笔记本及数据中心市场广为接受。为了进一步提高SSD容量、降低成本。闪存厂商开始推100+层堆栈的3D闪存。但是层数越多。制造难度也会增加。而且还要在每个单元内容纳更多的存储电位。挑战很大。
铠侠推出的Twin BiCS闪存是全球首个3D半圆形分裂浮栅极闪存单元。KIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术从这个比较拗口的专业名词中可以看出它使用的技术主要有半圆形、分裂、浮栅极。简单来说就是将传统的浮栅极分裂为两个对称的半圆形栅极。利用曲率效应提高闪存P/E编程/擦除过程中的性能。
Twin BiCS闪存的P/E操作性能对比
虽然新型闪存中也有BiCS的字样。但是现在的BiCS闪存是基于CTP电荷捕捉原理的。在进入3D闪存时代之后。几乎所有闪存厂商都转向了制造更简单的CTP技术而放弃了FG浮栅极技术。最后坚持的两家厂商中——KIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术美光在96层闪存之后也会放弃浮栅极技术。只有Intel还在坚持FG浮栅极技术。后者性能、可靠性更好。但是制造工艺复杂。
铠侠的Twin BiCSKIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术闪存技术现在又回到了浮栅极技术路线上来了。KIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术未来有可能改变全球闪存技术的走向。
对于Twin BiCSKIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术闪存技术来说。优点还有一个。那就是分裂浮栅极减少了物理尺寸。使得使得同样的单元里可以容纳更多的电位——直白点说就是。Twin BiCSKIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术闪存也给QLC之后的PLC闪存铺平了道路。
KIOXIA铠侠发布TwinBiCS闪存新技术
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