第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发
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第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发近日。固态存储协会(JEDEC)发布第三版HBM2存储标准JESD235C。第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发将针脚带宽提高到3.2Gbps。前两版中依次是2Gbps、2.4Gbps。环比提升33%。
按照设计规范。单Die第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发最大2GB、单堆栈12 Die(无标准高度限制)。第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发也就是24GB容量。匹配1024bit位宽。单堆栈理论第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发最大带宽410GB/s。对于支持四堆栈(4096bit)的图形芯片来说。第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发总带宽高达1.64TB/s。
第三代HBM2的电压第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发和上一版一致。为1.2V。第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发比第一代的1.35V有所下降。
简单比较下。常见高端独显采用的256bit GDDR6。按照14Gbps的针脚带宽计算。第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发总带宽448GB/s。第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发也就是第三代HBM2一个堆栈的水平。考虑到HBM2更容易扩充总线宽度。GDDR6过犹不及。况且单堆栈第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发最大容量就能达到24GB。四堆栈直逼100GB。
事实上。3.2Gbps的第三代HBM2早先已经由三星第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发和SK海力士提出。第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发并更名为HBM2E。这种说法也得到了JEDEC默认。
在JESD235C标准发布的同时。三星宣布。名为Flashbolt(前两代名为Flarebolt第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发和Aquabolt)的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片将在上半年量产。单颗第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发最大容量16GB。由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。
三星的第三代HBM2E甚至支持超频。单针脚可加速到4.2Gbps。单堆栈第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发最大带宽从而升至538GB/s。
第三代HBM2E显存标准公布,三星拿下首发
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