三星公布内存路线图：2027年DDR6内存将突破10Gbps

精选评测好文

10 月 8 日消息，据德媒 computerbase 消息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活动中介绍了其内存路线图。

如上图所示，在即将到来的 2023 年，三星将进入 1bnm 工艺阶段，内存芯片容量将达到 24Gb（3GB）-32Gb（4GB），原生速度将在 6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代GDDR7 显存将在明年问世，因此 AMD 和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上 GDDR7 显存。

此外，三星还进行了一些长远的设想，如 2026 年推出 DDR6 内存，2027 年即实现原生 10Gbps 的速度。

三星也公布了其闪存的路线图，预计将在 2024 年推出 V9 NAND 芯片。

曾报道，三星在此前的Tech Day 2022 活动中指出，其第九代 V-NAND 正在开发中，计划于 2024 年量产。到 2030 年，三星设想 NAND 堆叠超过 1,000 层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 将于今年年底向客户提供。

其他人还看了

三星GalaxyS21上手，时隔一年，体验当年的旗舰

三星GalaxyS22降至3399元，马上冲？还是再等一等？

秒懂1U、2U、4U服务器和42U机柜

88元年内探底：B站大会员年卡双11天猫补贴购

美国苹果旗舰店开售LevelLock+智能门锁：售价329美元，可用iPhone或AppleWatch解锁

哎呦不错哦，赞！(463)

打赏 打赏给作者

郑重声明：本文“三星公布内存路线图：2027年DDR6内存将突破10Gbps”，https://nmgjrty.com/diannaopj_626742.html内容，由百味生活提供发布，请自行判断内容优劣。

上一篇：将显示器轻松分身，入手INNOCN15A1F便携屏体验有感

下一篇：英伟达GeForceExperience3.26版本发布，RTX40系显卡获8K录制支持