「芯片」2025超越：英特尔表示摩尔定律回来了

原文标题：2025超越：英特尔表示摩尔定律回来了

外媒报道，摩尔定律是英特尔联合创始人戈登 - 摩尔（Gordon Moore）提出的衡量处理器稳定进步的标准，近年来受到了打击。但随着新的芯片制造技术的出现，它正在卷土重来，英特尔首席执行官 Pat Gelsinger 周三说。

" 摩尔定律还活着，"Gelsinger 在公司的在线创新活动上说。" 今天我们预测，我们将在未来十年内保持甚至超过摩尔定律的速度。... 我们作为摩尔定律的管家，将在创新的道路上坚持不懈地努力。"

2024 上半年 RibbonFET 的晶体管密度

这是一个大胆的声明，因为在过去五年左右的时间里，该公司一直在努力推进其芯片制造，并将其领导地位输给了其他两家顶级芯片制造商 -- 台湾半导体制造有限公司和三星。这表明英特尔愿意为夺回其地位而战，并试图为缺乏活力的处理器业务注入新的活力。

严格来说，摩尔定律源于摩尔在 1965 年的观察（1975 年有所更新），即处理器上的晶体管数量每两年增加一倍。这不是一条物理定律，而是反映了微型化的经济性。通过改进制造工艺，更多的电路可以建在芯片上，使其功能更强大，为下一轮创新提供资金。

但是，随着研究和制造的成本越来越高，微型化已经摇摇欲坠了。芯片元件正在达到原子尺度，而功耗问题限制了使芯片处理步骤步步为营的时钟速度。

因此，人们现在经常用摩尔定律来指代性能和功耗方面的进步，以及将更多的晶体管更密集地封装在芯片上的能力。

成功将意味着英特尔只是赶上了对手，Gelsinger 承诺这一时刻将在 2024 年发生。英特尔努力从 14 纳米制造工艺转向 10 纳米工艺，而台积电和三星则更好地保持了进展。

不过，Gelsinger 指的是传统的定义，指的是处理器上的晶体管数量 -- 尽管这种处理器可能是由几片硅片组成的单一封装。" 他说：" 我们希望能以比每两年翻一番的速度弯曲曲线。

除了封装之外，Gelsinger 还指出了两项主要的发展，他预计这将有助于英特尔重新夺回其领先地位。首先是 RibbonFET，这项技术更广泛地被称为 Gate all around，或 GAA。它对晶体管进行了改造，使电流在完全被栅极材料包围的薄带状半导体堆中流动，从而实现电流的开启和关闭。

其次是英特尔的 PowerVia，更广泛地称为背面供电。这为芯片制造增加了新的处理步骤，但意味着晶体管从一侧吸取电能，同时在另一侧连接到数据通信链路。今天的芯片试图把两种功能都塞进一面，增加了复杂性，限制了小型化。

同样关键的是采用 EUV 芯片制造设备，该设备使用较小波长的光将晶体管电路蚀刻在硅片上。升级是非常昂贵的，台积电和三星在向 EUV 的转变中击败了英特尔，但升级后的设备简化了原本需要更多步骤的制造。

英特尔还承诺在以后升级到高数值孔径 EUV 时成为第一人。这是英特尔在 2024 年追赶台积电和三星之后，在 2025 年超越它们的计划中的又一步。

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